検討事項

1.

オシロスコープとファンクション・ジェネレータを用い、抵抗の 電圧-電流特性が直線になることを直接観察・記録したが、その勾配 から抵抗値を求め、抵抗の公称値1k$\Omega$と比較せよ。

2.

各ダイオードの立ち上がり電圧を読みとり、 それぞれの半導体材料のエネルギー・ギャップの大きさとの関連を 検討しなさい。

3.

Geダイオード、Siダイオード、および発光ダイオードの電圧-電 流特性を比較せよ。大きな違いは何か？

4.

Siダイオードの立ち上がった後の順方向特性を片対数グラフにプ ロットし、直線性を検討しなさい。

5.

ツェナー・ダイオードの降状電圧(ツェナー電圧)を求め よ。

6.

オシロスコープで観察したI-V特性の電流軸、電圧軸の正負との 関係を検討せよ。