(a) トランジスタの電圧 - 電流特性

• V_CE - I_C 特性（出力特性またはコレクタ特性ともいう）
  エミッタ接地形トランジスタの基本的なパラメータは、ベース電流I_Bを一定 とした時のコレクタ電圧V_CEとコレクタ電流I_Cの関係 （図2(c)参照）。

  この特性から、V_CEがある程度大きくなると、電流I_Cが飽和する ことがわかる。また、トランジスタの出力インピーダンスは、 飽和領域の傾斜 $\Delta V_{CE}/\Delta I_C$で与えられるので、 これが水平に近いほど出力インピーダンスは大きい。

• V_BE - I_B 特性（入力特性）
  コレクタ電圧V_CEを一定にした時のベース電圧V_BEとベース電 流I_Bの関係 （図2(a)参照）。

  ベース-エミッタ間はpn接合に対して順方向に電圧がかかっているので、 ダイオードの場合と同様の特性になる。 今回の実験ではSiバイポーラトランジスタを用いているので、 Siダイオードと同様に0.6V付近が立ち上がり電圧になる。

• V_BE - I_C 特性
  コレクタ電圧V_CEを一定にした時のベース電圧V_BEとコレクタ電流 I_Cの関係。