Next: 実験
Up: トランジスタの基本静特性(エミッタ接地)
Previous: (a) トランジスタの電圧 - 電流特性
コレクタ電圧VCEを一定として、IBとICの関係を示したもの
(図2(b)参照)。
図2(b)のように、ベース電流IBが10Aオーダーで
変化すると、コレクタ電流ICはmAオーダーで変化する。
これがすなわちバイポーラトランジスタの特徴である電流増幅作用を
示していることになる。
また、この結果から直流電流増幅率
hFE = IC/IB が求められる。
Figure 2:
トランジスタ(エミッタ接地)の静特性
|
バイポーラトランジスタの電圧、電流特性のまとめ
- 120D
- ICは IBにより決まる。すなわち、VCEが小
さい間は VCEの増加とともに ICは増加する。しかし、
VCEが一定の値を越えると、ICは増加せず、IBに依存するほ
ぼ一定の値となる。
- 220D
- IBは、IC 、IEに比較して非常に小さい
- 320D
- Siトランジスタでは、VBEが0.6V以上でIB が流れ始め、それに伴って
ICも流れ始める(トランジスタのベース - エミッタがpn接合
を形成しているため - - - ダイオード実験での立ち上がり電圧と同じ)。
Kenichi Kuroda
2000-06-24