(b) トランジスタの電流伝達特性（I_B - I_C特性）

コレクタ電圧V_CEを一定として、I_BとI_Cの関係を示したもの （図2(b)参照）。 図2(b)のように、ベース電流I_Bが10$\mu$Aオーダーで 変化すると、コレクタ電流I_CはmAオーダーで変化する。 これがすなわちバイポーラトランジスタの特徴である電流増幅作用を 示していることになる。 また、この結果から直流電流増幅率 h_FE = I_C/I_B が求められる。

  

Figure 2: トランジスタ（エミッタ接地）の静特性

バイポーラトランジスタの電圧、電流特性のまとめ

120D

I_Cは I_Bにより決まる。すなわち、V_CEが小 さい間は V_CEの増加とともに I_Cは増加する。しかし、 V_CEが一定の値を越えると、I_Cは増加せず、I_Bに依存するほ ぼ一定の値となる。

220D

I_Bは、I_C 、I_Eに比較して非常に小さい

320D

Siトランジスタでは、V_BEが0.6V以上でI_B が流れ始め、それに伴って I_Cも流れ始める（トランジスタのベース - エミッタがpn接合 を形成しているため - - - ダイオード実験での立ち上がり電圧と同じ）。