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バイポーラトランジスタは
図1(a)(c)に示すように
pnpあるいはnpnのサンドイッチ構造を
持ったトランジスタである。
このトランジスタの電流は小数キャリアと多数キャリアの両方に
よって運ばれるので、バイポーラトランジスタと呼ばれる。
端子はエミッタ(E)、ベース(B)、コレクタ(C)からなる。
基本構造はpn接合(ダイオード)を2組直列に接続した形であるが、
ベース領域を非常に薄く作ることでトランジスタとしての動作を
する。
動作原理などの詳細は、
半導体理論 教科書 -「半導体工学」- 第3章 3.4 バイポーラトランジスタ、
電気回路 教科書 -「基礎電気・電子工学」- 第3章 3.4 トランジスタを
参照されたい。
要点
- 電圧 B - E間は順方向、B - C間は逆方向に電圧を掛けることが基本
である
- 電流
IE = IC + IBである。
は
IC(〜
mA)に比べ非常に小さいので
とみなせる。
- 増幅 ICは、IB(すなわちVBE)によって大きく変化するのが特
徴→増幅作用。
-
増幅率 電流増幅率hFEはIC/IBで与えられる。
Figure 1:
バイポーラトランジスタの構造と図記号
![\begin{figure}
\begin{center}
\leavevmode
\psbox[scale=0.8]{Fig/Tr.eps} \end{center} \end{figure}](img4.gif) |
Kenichi Kuroda
2000-06-24